Навігація
Головна
 
Головна arrow Інформатика arrow Архітектура ЕОМ і систем
< Попередня   ЗМІСТ   Наступна >

ПРОГРАМОВАНІ КОРИСТУВАЧЕМ ПЗУ

Для виявлення особливостей побудови, роботи і програмування ПЗУ розглянемо схему на рис. 8.6.

Структура П П ЗУ.В склад ППЗУ входять:

накопичувач у вигляді матриці з 210 = 1024 елементів, розташованих уздовж 25 = 32 рядків (8 груп по 4 елементи в кожному рядку) і 25 = 32 стовпців. Отже, ємність ПЗУ становить 1024 біта, що розбиваються на 256 слів за 4 розряду в кожному слові. Число розрядів адреси дорівнює 8, що забезпечує 28 = 256 адресних кодів і дає можливість звернення до кожного з слів. Для вибірки слова досить задати i-ю (i = 0, ..., 31) рядок і j- ю (j = 0, ..., 7) групу або j -ю осередок пам'яті;

Схема програмованого ПЗУ

Мал. 8.6. Схема програмованого ПЗУ

  • блок селекторних ключів на транзисторах ;
  • дешифратори . При надходженні на - 5-розрядного адресного коду активізується одна з 25 = 32 рядків накопичувача. Трьохрозрядний адресний код , що надходить на дешифратор стовпців DC Y, дозволяє за допомогою селекторних ключів вибирати одну з 23 = 8 осередків пам'яті (транзистори , де 1) для будь-якої i-го рядка накопичувача;
  • буфер виведення-введення, виконаний на чотирьох 8-емітерний транзисторах УТМ к. Відкриті колектори транзисторів утворюють виходи ПЗУ, які через резистори Л0, /? 3 з'єднані з позитивним полюсом джерела живлення; у-е емітери транзисторів підключені до резисторам Rj k і j, ^ -столбцам матриці накопичувача.

Розглянемо особливості роботи і програмування ППЗУ. Режим зчитування. Якщо в транзисторі (наприклад, УТ / ■ 0) обраної j-й осередку пам'яті перемичка збережена, то протікає через нього струм створює на резисторі Rj 0 позитивне напруга і многоеміттерного транзистор VTMq замкнений. Напруга на його колекторі має високий рівень, так як через резистор / ¾ не протікає струм. При відсутності перемички в транзисторі (наприклад, НТЦ 3) струм через Rj 3 не протікає, тому многоеміттерного транзистор УТМт, відкритий, через резистор Л3 протікає струм і напруга на колекторі має низький рівень. Наявність перемички кодується логічною одиницею, якщо підсилювач зчитування є повторювачем, і логічним 0 - при використанні инвертирующего підсилювача. Тому будемо мати Z) 0 = 1, /) 3 = 0.

Режим програмування. При програмуванні на ЗУ подаються підвищені живлять напруги, щоб отримати струми транзисторів накопичувача, достатні для перепалювання перемичок. Вибір необхідного елементу пам'яті здійснюється так само, як і в режимі зчитування.

Якщо з боку виходу £) 0 мікросхеми на колектор многоеміттерного транзистора УТМ 0 подати напругу, то через його емітерний ланцюг почне протікати струм, створюючи на Rj 0 замикає потенціал для транзистора УТ / jq накопичувача. Струм через VTnq не протікає, перемичка в його емітерний ланцюга зберігається.

Якщо з боку виходу /) 3 мікросхеми на колектор многоеміттерного транзистора К7Ж3 подати нульову напругу (вихід £> 3 підключити до загальної точки схеми), то через його емітерний ланцюг і, отже, через резистор Rj 3 струм протікати не буде. Замикає напруга на транзисторі К7}; 3 накопичувача відсутня, і через нього буде протікати струм. Завдяки підвищеному напрузі харчування протікає через УТ ^ 3 ток перепалюваних перемичку.

 
Якщо Ви помітили помилку в тексті позначте слово та натисніть Shift + Enter
< Попередня   ЗМІСТ   Наступна >
 
Дисципліни
Агропромисловість
Аудит та Бухоблік
Банківська справа
БЖД
Географія
Документознавство
Екологія
Економіка
Етика та Естетика
Журналістика
Інвестування
Інформатика
Історія
Культурологія
Література
Логіка
Логістика
Маркетинг
Медицина
Нерухомість
Менеджмент
Педагогіка
Політологія
Політекономія
Право
Природознавство
Психологія
Релігієзнавство
Риторика
Соціологія
Статистика
Техніка
Страхова справа
Товарознавство
Туризм
Філософія
Фінанси
Пошук