Навігація
Головна
 
Головна arrow Інформатика arrow Архітектура ЕОМ і систем
< Попередня   ЗМІСТ   Наступна >

ОСНОВНІ РЕЖИМИ РОБОТИ ОСЕРЕДКУ ФЛЕШ-ПАМ'ЯТІ

Програмування осередків. Програмуванням називають процес введення електронів в область плаваючого затвора. Для цього на електроди осередки-транзистора подають відповідні напруги (рис. 8.8, а). При програмуванні флеш-пам'яті використовують два способи:

• спосіб інжекції гарячих електронів (Channel Hot Electrons Injection), при якому на стік і управляючий затвор щодо витоку подається висока напруга, причому на керуючому затворі напруга приблизно в два рази перевищує напря-

Режими програмування (а) і стирання (б)

Мал. 8.8. Режими програмування (а) і стирання (б)

ються на стоці. Між витоком і стоком утворюється канал. Електрони, що володіють енергією, достатньою для подолання потенційного бар'єру, створюваного тонкою плівкою діелектрика, инжектируются з каналу на плаваючий затвор. Такі електрони називають гарячими електронами;

• спосіб тунелювання електронів (Channel Tunneling). Суть тунельного ефекту полягає в тому, що електрон, що володіє енергією меншою, ніж висота потенційного бар'єру, здатний проникнути через нього. У найбільш сильною мірою даний ефект проявляється в переходах, утворених виродженими напівпровідниками. У сильно легованих напівпровідниках внутрішня напруженість поля в переході забезпечує можливість проходження електронів при невеликих напругах обох знаків. Цей спосіб не вимагає подвійного живлення і високої напруги, проте поступається способу інжекції гарячих електронів по часу програмування.

Режим стирання. Зняття заряду з плаваючого затвора, або стирання вмісту комірки, проводиться способом тунелювання. При стиранні щодо стоку подається високе позитивне напруга на витік, а на керуючий затвор - негативна напруга. Електрони туннелируют на джерело (рис. 8.8,6).

Режим читання. В даному режимі на керуючий затвор і стік подається позитивна напруга, при цьому:

  • • при відсутності заряду на плаваючому затворі в підкладці між витоком і стоком утворюється "-канал і виникає струм (рис. 8.9, а);
  • • при наявності негативного заряду відбувається блокування каналу, і струм через транзистор не протікає (рис. 8.9,6).

Режими читання при відсутності (а) і наявності (б) заряду на плаваючому затворі

Мал. 8.9. Режими читання при відсутності (а) і наявності (б) заряду на плаваючому затворі

 
Якщо Ви помітили помилку в тексті позначте слово та натисніть Shift + Enter
< Попередня   ЗМІСТ   Наступна >
 
Дисципліни
Агропромисловість
Аудит та Бухоблік
Банківська справа
БЖД
Географія
Документознавство
Екологія
Економіка
Етика та Естетика
Журналістика
Інвестування
Інформатика
Історія
Культурологія
Література
Логіка
Логістика
Маркетинг
Медицина
Нерухомість
Менеджмент
Педагогіка
Політологія
Політекономія
Право
Природознавство
Психологія
Релігієзнавство
Риторика
Соціологія
Статистика
Техніка
Страхова справа
Товарознавство
Туризм
Філософія
Фінанси
Пошук