ОСНОВНІ РЕЖИМИ РОБОТИ ОСЕРЕДКУ ФЛЕШ-ПАМ'ЯТІ

Програмування осередків. Програмуванням називають процес введення електронів в область плаваючого затвора. Для цього на електроди осередки-транзистора подають відповідні напруги (рис. 8.8, а). При програмуванні флеш-пам'яті використовують два способи:

• спосіб інжекції гарячих електронів (Channel Hot Electrons Injection), при якому на стік і управляючий затвор щодо витоку подається висока напруга, причому на керуючому затворі напруга приблизно в два рази перевищує напря-

Режими програмування (а) і стирання (б)

Мал. 8.8. Режими програмування (а) і стирання (б)

ються на стоці. Між витоком і стоком утворюється канал. Електрони, що володіють енергією, достатньою для подолання потенційного бар'єру, створюваного тонкою плівкою діелектрика, инжектируются з каналу на плаваючий затвор. Такі електрони називають гарячими електронами;

• спосіб тунелювання електронів (Channel Tunneling). Суть тунельного ефекту полягає в тому, що електрон, що володіє енергією меншою, ніж висота потенційного бар'єру, здатний проникнути через нього. У найбільш сильною мірою даний ефект проявляється в переходах, утворених виродженими напівпровідниками. У сильно легованих напівпровідниках внутрішня напруженість поля в переході забезпечує можливість проходження електронів при невеликих напругах обох знаків. Цей спосіб не вимагає подвійного живлення і високої напруги, проте поступається способу інжекції гарячих електронів по часу програмування.

Режим стирання. Зняття заряду з плаваючого затвора, або стирання вмісту комірки, проводиться способом тунелювання. При стиранні щодо стоку подається високе позитивне напруга на витік, а на керуючий затвор - негативна напруга. Електрони туннелируют на джерело (рис. 8.8,6).

Режим читання. В даному режимі на керуючий затвор і стік подається позитивна напруга, при цьому:

  • • при відсутності заряду на плаваючому затворі в підкладці між витоком і стоком утворюється "-канал і виникає струм (рис. 8.9, а);
  • • при наявності негативного заряду відбувається блокування каналу, і струм через транзистор не протікає (рис. 8.9,6).

Режими читання при відсутності (а) і наявності (б) заряду на плаваючому затворі

Мал. 8.9. Режими читання при відсутності (а) і наявності (б) заряду на плаваючому затворі

 
< Попер   ЗМІСТ   Наст >